近日，我校物理与微电子科学学院段辉高教授指导其研究生陈艺勤（并列第一作者）、向泉（并列第一作者）、李志琴、王雅思以及我校大一本科生孟语涵同学发明了一种线描光刻技术可大幅度提高电子束直写的加工效率（最高达到400倍）并显著降低了高密度图形加工时的邻近效应，为快速可靠地制作高精度微纳光电器件提供了一种解决方案。
微纳光电器件因具有重要的潜在应用价值，是目前物理学和信息科学等领域的研究热点。精确地制作高品质微纳光电器件及相关零/部件是该领域的关键技术之一。由于微纳光电器件具有极小的特征尺寸，目前其相关的基础研究、原型开发以及小批量定制都依赖于以电子束直写为基础的纳米加工技术。然而，电子束直写作为一种串行加工方法，虽然加工精度高，但同时也具有加工速度慢、加工成本高且邻近效应等缺点，极大地限制了其在微纳光电器件研发中的应用。
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