经世致用讲坛丨John Robertson：场效应晶体管中的新型电子材料

4月29日上午，英国皇家科学院院士、英国皇家工程院院士John Robertson做客经世致用讲坛，在综合楼108报告厅作“场效应晶体管中的新型电子材料”主题报告。

John Robertson聚焦新一代半导体材料与器件设计，重点探讨了p型金属氧化物（p-MOS）晶体管的性能优化路径。他结合实验数据指出，通过硅基通道与二氧化物界面调控，可显著提升晶体管在高频环境下的稳定性与能效。此外，针对材料在高温低压条件下的应用瓶颈，他提出了仿生结构设计与纳米级复合材料合成的创新思路。Robertson还展示了人工智能技术在材料研发中的实践成果。例如，通过机器学习模型与高通量计算相结合，能够快速筛选出具有潜在应用价值的高性能材料，并精准预测其物理化学性质。他强调，AI技术虽可大幅缩短研发周期，但其预测结果必须与传统实验验证形成闭环，才能确保科学结论的严谨性。

在互动环节，John Robertson围绕多个技术难点展开讨论。针对青年学者提出的“如何平衡理论研究与产业化需求”，John Robertson指出，需建立多尺度模拟—原位表征—工程反馈的动态研究框架，通过跨学科协作攻克技术壁垒。他强调，材料科学已进入人工智能、物理学与工程学深度融合的新阶段，学术界与产业界需要共建开放创新平台，加速从实验室成果到产业应用的转化进程。

本次活动由党委研究生工作部主办，半导体学院、功率半导体与集成技术全国重点实验室、长沙半导体技术与应用创新研究院承办，湖南省科学技术厅指导，全校200余名师生参与。

活动现场。

来源：研工部 半导体学院

通讯员：韩晓明 李潇 冯雅

学生编辑：彭静怡

责任编辑：余楚倩